Allgemein
Gerätetyp: Solid State Drive - intern
Kapazität: 250 GB
Hardwareverschlüsselung: Ja
Verschlüsselungsalgorithmus: 256-Bit-AES
NAND-Flash-Speichertyp: TLC (Triple-Level Cell)
Formfaktor: M.2 2280
Schnittstelle: PCIe 3.0 x4 (NVMe)
Puffergröße: 512 MB
Merkmale: TRIM-Unterstützung, Auto Garbage Collection Algorithm, Dynamic Thermal Guard protection, TurboWrite Technology, V-NAND Technology, NVM Express (NVMe) 1.3, Samsung Phoenix Controller, S.M.A.R.T.
Breite: 22.15 mm
Tiefe: 80.15 mm
Höhe: 2.38 mm
Gewicht: 8 g
Leistung
SSD-Leistung: 150 TB
Interner Datendurchsatz: 3500 MBps (lesen)/ 2300 MBps (Schreiben)
4 KB Random Read: 17000 IOPS
4 KB Random Write: 60000 IOPS
Maximal 4 KB Random Write: 550000 IOPS
Maximal 4 KB Random Read: 250000 IOPS
Zuverlässigkeit
MTBF: 1,500,000 Stunden
Erweiterung und Konnektivität
Schnittstellen: PCI Express 3.0 x4 (NVMe) - M.2 Card
Kompatibles Schaltfeld: M.2 2280
Stromversorgung
Energieverbrauch: 5 Watt (Durchschnitt) ¦ 8 Watt (Maximum) ¦ 30 mW (Inaktivität Maximum)
Verschiedenes
Kennzeichnung: IEEE 1667
Umgebungsbedingungen
Min Betriebstemperatur: 0 °C
Max. Betriebstemperatur: 70 °C
Schocktoleranz (in Betrieb): 1500 g @ 0,5 ms Sinushalbwellen
Datenblatt Produktsicherheit und Compliance
Verantwortliche Person für die EU
In der EU ansässiger Wirtschaftsbeteiligter, der sicherstellt, dass das Produkt den erforderlichen Vorschriften entspricht.
Samsung Electronics GmbH
Am Kronberger Hang 6
65824 Schwalbach, DE
kundenbetreuung@samsung.de